简介
C显带技术是使结构异染色质或高度重复的 DNA 着色，这种显带方法对染色体着丝粒区和 Y 染色体长臂异染色质区的观察十分有利。
原理
C显带技术法的基本原理是是使结构异染色质或高度重复的 DNA 着色。
材料与仪器
步骤
C显带技术法的基本过程可分为如下几步：
A 常规制片后，将染色体玻片标本浸入 0.2 mol/L HCI 溶液中，室温放置 1 h。
B 用蒸馏水冲洗染色体玻片标本。
C 将染色体玻片标本浸入 50 ℃ 预热的 1％ Ba（OH）2 溶液中，处理 15～20 s。
D 用蒸馏水冲洗染色体玻片标本。
E 将染色体玻片标本浸入 2 x SSC 溶液中，60 ℃ 处理 90 min。
F 用蒸馏水冲洗染色体玻片标本后，用吉姆萨工作液染色 20～30 min。
G 流水轻轻冲洗玻片背面，将多余的吉姆萨染液冲掉。
H 空气干燥。
I 先用低倍镜浏览整张染色体玻片标本，再用油镜观察并识别染色体的着丝粒（或 Y 染色体长臂的异染色质区）。
来源：丁香实验
